电子衡器遥控器晶体芯片制作方法

    除了上述[30]、[33]、[34]所述的底部籽晶STL地磅控制器研制方法的示例之外，还可以通过顶部籽晶溶液生长（TSSG）方法生长钙钛矿单晶。TSSG法生长MAPbI3单晶的过程如图1（b）所示，最终生长的单晶的图像如图1（c）[13]所示。在TSSG法中，将三水合醋酸铅和MA分别溶解在100°C的HI溶液中，然后将MA溶液缓慢加入到三水合醋酸铅溶液中，将混合溶液的温度降至75°C，保持一天以生长小单晶[12]。之后，将硅衬底垂直插入生长室。通过腔室上半部分的风冷硅衬底去除潜热，形成大尺寸无线地磅遥控器晶体，从而促进晶种在硅衬底上的成核。

   将一半的硅保持在室外，以降低上部溶液的温度，从而降低MAPbI3电子地磅控制器芯片在HI溶液中的溶解度，并使用油浴将瓶的下部保持在75°C。一个10毫米的单晶生长了几天[12]。在逆温结晶（ITC）方法[21]，[36]的过程中，将前体溶液放入瓶中并在固定温度下加热以生长单晶，如图1（d）[12]所示。在生长过程中，由于溶剂的挥发，溶液的表面开始处于饱和状态，而溶液的底部处于不饱和状态。随着溶剂浓度的降低，由于瓶内对流，浓度会超过前驱体的溶解度，从而导致单晶的生长。预合成的晶种被用作大单晶生长的成核点。例如，对于MAPbI3单晶的合成，通过将前体溶液在160℃加热30分钟来收获数字地磅遥控器籽晶。

    接着，将籽晶放入在120℃加热3小时的前体溶液中。最终得到了一个~8mmmapbi3单晶。此外，再将溶液温度提高到125℃一小时，可获得大尺寸晶体。通过在ITC过程中再次使用获得的大晶体作为种子，甚至可以生长更大的单晶。通过多次重复ITC工艺获得了尺寸为71mm×54mm×39mm的最大MAPbI3单晶[36]。类似地，通过该方法还合成了MAPbBr3和MAPbCl3的地磅遥控器芯片大单晶，如图1（e）[36]所示。温度越高，生长速度越快，但温度过高会导致晶体畸形或形成小晶体。应注意的是，如果温度降至室温，晶体将重新溶解[20]，[36]。因此，应在冷却溶液之前收集单晶。该方法适用于制备多组分单晶，如FAPbI3（如图1（f）[20]所示）、MAPbCl3、MAPbIxBr1–x和MAxFA1–xPbI3晶体。